4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода в крови
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода в крови
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода в крови
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода в крови
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода в крови
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода в крови
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода в крови

4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода в крови

5 134 руб.

Описание

Храктеристика устройства:

1) Материал: Кремний высокой чистоты
2 размера: 4 дюйма
3 диаметр и допуск:100 ± 0,4 мм
4) Толщина: 500um
5 толщина оксида: 50 нм
6 Модель: P
7 характеристики: двойной кислород
8:Сопротивление0,001-0,005 Омега (см)
9 направление: <100>
10 полировка: диоксид кремния
11 основных применений: PVD/CVD покрытие, магнетронное напыление, XRD, SEM, прирост атомной силы образца, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия, подложка, подложка, молекулярный пучок эпитаксиального роста полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.

4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода в крови4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода в крови4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода в крови4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода в крови4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода в крови4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода в крови4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 ОМ* см/модель = двойной кислорода в крови

Характеристики

Габаритные размеры
Silicon wafer thickness 500um/ Oxide thickness 50nm
Номер модели
Crystal orientation 100/ Model P
Стандартный
GB
Наличие стандарта
Стандарт
Материал
Monocrystalline silicon