Intel Xeon X5570 2,933 ГГц четырехъядерный Восьмиядерный процессор 8M 95W LGA 1366

Описание

Intel Ксеон X5570 Технические характеристики

Заявленным характеристикам используется для краткосрочной перспективе
Реклама на сайте аукциона и объявлений

Общая информация

Тип

Процессор/микропроцессор

Рынок сегмент

Сервера

Семья

Intel Xeon 5500

Номер модели: ?

X5570

Процессор номера деталей

AT80602000765AAЯвляется OEM/лоток микропроцессором BX80602X5570Коробочный микропроцессор

Частота ?

2933 МГц

Максимальная ускоренная частота

3333 МГц (1 ядро)
3200 МГц (4 ядра)

Скорость шины ?

6,4 GT/s QPI (3200 МГц)

Посылка

1366-land флип-чип Land Grid массив (FC-LGA8)
1,77 "x 1,67" (4,5 см х 4,25 см)

Разъем

Розетка 1366/B/LGA1366

Введение Дата

30 марта, 2009

Дата окончания срока службы

Последняя дата заказа 28 сентября 2012
Последняя дата отгрузки для обработчиков лотков 27 марта 2015 года

Цена на введение

$1386

S-spec цифры

Номер изделия:	ES/QS процессоры		Производство процессора
	Q1DY	Q1G9	SLBF3
AT80602000765AA	+	+	+
BX80602X5570			+

Архитектура/микро Архитектура

Микроархитектуры

Nehalem

Туфли на платформе

Tylersburg-EP
Tylersburg-EN
Tylersburg-WS

Процессор core ?

Nehalem-EP

Ядро степпингах ?

C1 (Q1DY)
D0 (Q1G9, SLBF3)

CPUID

106A5 (SLBF3)

Производственный процесс

0,045 микрон
731 миллионов транзисторов

Под давлением

263 мм2

Ширина данных

64 бит

Количество ядер ЦП

Количество нитей

С плавающей точкой блок

Интегрированный

Уровень 1 космическая дорога кэша ?

4x32 КБ 4-way set associator instruction caches
4x32 КБ 8-way set Association data caches

Уровень 2 размер кэша ?

4 х 256 Кб 8-канальный видеорегистратор комплект ассоциативных складов

Размер кэша 3 уровня

8 Мб 16-way набор ассоциативный общий кэш

Физическая память

144 ГБ

Мультипроцессирования

С погрешностью в пределах 2-х процессоров

Наращивания на заколках и технологии

Ммx инструкции SSE/потоковое расширение SIMD SSE2/потоковое расширение SIMD 2 SSE3/потоковое расширение SIMD 3 SSSE3/дополнительные потоковые расширения SIMD 3 SSE4/SSE4.1 + SSE4.2/потоковое расширение SIMD 4 ? Технология EM64T/Расширенная память 64/Intel 64 ? NX/XD/execte disable bit ? Технология HT/Hyper-Threading ? Технология VT-x/Virtualization ? VT-d/Virtualization для направленного ввода/вывода Технология TBT/Turbo Boost ?

Низкое энергопотребление характеристики

Резьба C1/C1E, C3 и C6 состояний Ядро C1/C1E, C3 и C6 состояний Посылка C1/C1E, C3 и C6 государства Усовершенствованная технология SpeedStep ?

Интегрированный периферийные устройства/компоненты

Встроенная графика

Нет

Контроллер памяти

Количество контроллеров: 1
Каналов памяти: 3
Поддерживаемая память: DDR3-800, DDR3-1066, DDR3-1333
Максимальная пропускная способность памяти (Гб/с): 32
Кода коррекции ошибок при поддержке: Да

Другое периферийные устройства

Быстрое соединение (2 канала)

Электрические/Термальность параметры

V core ?

0,75-1,35 в

Минимальная/Максимальная рабочая температура ?

5 °C-75 °C
5 °C-81 °C

Максимальная мощность рассеяния ?

197,97 ватт
155,56 Ватт (устойчивый)

Термальность дизайн Мощность ?

95 ватт