8-дюймовые Вафли с электронным зеркальным покрытием подложка одинарная двойная Вафля высокой чистоты Одиночная кристаллическая Кремниевая подложка
  • 8-дюймовые Вафли с электронным зеркальным покрытием подложка одинарная двойная Вафля высокой чистоты Одиночная кристаллическая Кремниевая подложка
  • 8-дюймовые Вафли с электронным зеркальным покрытием подложка одинарная двойная Вафля высокой чистоты Одиночная кристаллическая Кремниевая подложка
  • 8-дюймовые Вафли с электронным зеркальным покрытием подложка одинарная двойная Вафля высокой чистоты Одиночная кристаллическая Кремниевая подложка
  • 8-дюймовые Вафли с электронным зеркальным покрытием подложка одинарная двойная Вафля высокой чистоты Одиночная кристаллическая Кремниевая подложка
  • 8-дюймовые Вафли с электронным зеркальным покрытием подложка одинарная двойная Вафля высокой чистоты Одиночная кристаллическая Кремниевая подложка

8-дюймовые Вафли с электронным зеркальным покрытием подложка одинарная двойная Вафля высокой чистоты Одиночная кристаллическая Кремниевая подложка

2 заказа
690 руб.

Описание

Тип 1: 8 дюймов односторонний полированная Кремниевая Пластина для обычной пленки 725um
Тип 2: 8-Дюймовый Односторонний полированная Кремниевая Пластина будет 1,5 мм толщиной
Тип 3: 1 дюйм односторонняя полированная силиконовая пластина
Тип 4: 2 дюйма односторонний полированная Кремниевая Пластина
Тип 5: 3-дюймовый односторонний полированная Кремниевая Пластина
Тип 6: 4-дюймовый односторонний полированная Кремниевая Пластина
Тип 7: пройденное расстояние в 6-дюймовый односторонний полированная Кремниевая Пластина
Тип 8: 12-дюймовые односторонний полированная Кремниевая Пластина

8-дюймовые Вафли с электронным зеркальным покрытием подложка одинарная двойная Вафля высокой чистоты Одиночная кристаллическая Кремниевая подложка8-дюймовые Вафли с электронным зеркальным покрытием подложка одинарная двойная Вафля высокой чистоты Одиночная кристаллическая Кремниевая подложка

Режим роста: прямой Потяните один кристалл
Диаметр и качество изготовления: ±0. 4 мм
Тип допинга: N тип (фосфор, мышьяк, сурьма) P Тип (Боро легированный)
Кристаллическая направленность: <111>/<100>/<110>
Удельное сопротивление: 0,001-50 (Ω • см) можно подгонять в соответствии с требованиями заказчика
Данные процесса: плоскость TIR: <3мкм, деформация TTV: <10мкм, кривизна лук <10мкм, шероховатость <0,5 нм, размер частиц <10 (для размера> 0,3 мкм)
Применение: Синхронный носитель образцов излучения для процесса, PVD/CVD покрытие для подложки, магнетронный напыление образцов роста, XRD, SEM, атомная сила, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия и т. д., тестовая подложка, молекулярный пучок эпитаксиальной подложки роста, рентгеновский анализ кристаллических полупроводников.
Модель/допинг типа N/P фосфор, мышьяк, Бор могут быть отправлены или настроены в соответствии с требованиями заказчика
Кристаллическая направленность <111> \ <100> \ <110> может быть отправлена или настроена в соответствии с требованиями заказчика
Удельное сопротивление 0,001-20000 (ом · см) может быть отправлено или настроено в соответствии с требованиями заказчика
Это действительно плоский экран перемешать <1 мкм
Счет-фактура может предоставить машинный счет
Коробление TTV <3 мкм
Изгиб с бантом <5 мкм
Шероховатости Ra <0.5nm
Частицы певаферр <10 (для размера> 0,3 мкм)
Метод упаковки 1 штука посылка, 5 штук посылка, 10 штук посылка, 25 штук посылка ультра-чистая без пыли алюминиевая фольга вакуумная посылка;
Имеющийся запас толщины мкм двойной бросок 200-2000 мкм, одиночный бросок 150-5000 мкм между различными толщинами кремниевых пластин могут быть предоставлены;

Сопутствующие товары