FMUSER MRF6VP2600H РЧ силовой Транзистор MOSFET транзистор 500 МГц 600 Вт боковой n-канальный широкополосный

FMUSER MRF6VP2600H РЧ силовой Транзистор MOSFET транзистор 500 МГц 600 Вт боковой n-канальный широкополосный

13 734 руб.

Описание

FMUSER Оригинальный Новый MRF6VP2600H РЧ силовой Транзистор MOSFET транзистор 500 МГц 600 Вт боковой n-канальный широкополосный

FMUSER MRF6VP2600H РЧ силовой Транзистор MOSFET транзистор 500 МГц 600 Вт боковой n-канальный широкополосный

Обзор: материнская плата
MRF6VP2600H предназначен в основном для широкополосных приложений с частотами до 500 МГц. Устройство непревзойденное и подходит для использования в широковещательных приложениях.
Особенности:
* Типичная производительность DVB-T OFDM: VDD = 50 вольт, IDQ = 2600 мА, Pout = 125 Вт Avg., f = 225 МГц, полоса пропускания канала = 7,61 МГц, входной сигнал PAR = 9,3 дБ @ 0.01% вероятность на CCDF. Коэффициент усиления мощности: 25 дбсток эффективность: 28.5% ACPR @ 4 МГц Смещение:-61 dBc @ 4 кГц полоса пропускания
* Типичная импульсная Производительность: VDD = 50 вольт, IDQ = 2600 мА, Pout = 600 Ватт Пиковая, f = 225 МГц, ширина импульса = 100 & micro; сек, рабочий цикл = 20% коэффициент усиления мощности: 25,3 дбсток эффективность: 59%
* Возможность обработки 10:1 VSWR, @ 50 В постоянного тока, 225 МГц, 600 Вт пиковая мощность, ширина импульса = 100 & микро; сек, рабочий цикл = 20%
* Отличается эквивалентными параметрами сопротивления большого сигнала
* Возможность работы CW с достаточным охлаждением
* Квалифицированная работа до 50 VDD
* Встроенная защита от статического электричества
* Предназначен для работы с нажимным механизмом
* Больший диапазон отрицательного напряжения затвора-источника для улучшенной работы класса C
* По ограничению на использование опасных материалов в производстве, отвечающих требованиям
* В ленте и катушке. Суффикс R6 = 150 единиц на 56 мм, катушка 13 дюймов.
Параметры:
Частота (мин) (МГц): 2
Частота (макс) (МГц): 500
Напряжение питания (тип) (В): 50
P1dB (тип) (dBm): 57,8
P1дб (тип) (Вт): 600
Выходная мощность (Typ) (W) @ уровень интермодуляции при тестовом сигнале: 125,0 @ AVG
Тесты сигнала: OFDM
Усиление мощности (тип) (дБ) @ f (МГц): 25,0 @ 225
Эффективность (тип) (%): 28,5
Тепловое сопротивление (спецификация) (℃/Вт): 0,2
В комплекте: бесподобная
Категория: AB
Die Технология: LDMOS

FMUSER MRF6VP2600H РЧ силовой Транзистор MOSFET транзистор 500 МГц 600 Вт боковой n-канальный широкополосный

FMUSER MRF6VP2600H РЧ силовой Транзистор MOSFET транзистор 500 МГц 600 Вт боковой n-канальный широкополосный

FMUSER MRF6VP2600H РЧ силовой Транзистор MOSFET транзистор 500 МГц 600 Вт боковой n-канальный широкополосный

1×MRF6VP2600H RF Мощность транзистор

FMUSER MRF6VP2600H РЧ силовой Транзистор MOSFET транзистор 500 МГц 600 Вт боковой n-канальный широкополосный

FMUSER MRF6VP2600H РЧ силовой Транзистор MOSFET транзистор 500 МГц 600 Вт боковой n-канальный широкополосный

Характеристики

Бренд
fmuser
Упаковка
Да
Номер модели
MRF6VP2600H
Frequency (Min) (MHz)
2
Frequency (Max) (MHz)
500
Supply Voltage (Typ) (V)
50
P1dB (Typ) (dBm)
57.8
P1dB (Typ) (W)
600
Output Power (Typ) (W)@Test Signal
125.0 @ AVG
Test Signal
OFDM
Power Gain (Typ) (dB) @ f (MHz)
25.0 @ 225
Efficiency (Typ) (%)
28.5
Thermal Resistance (Spec) (℃/W)
0.2
Matching
unmatched
Class
AB
Die Technology
LDMOS